资料介绍
型号: SI4425DY-T1-E3&11-VB
丝印: VBA2311
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: P—Channel
- 额定电压: -30V
- 额定电流: -11A
- 导通电阻 (RDS(ON)): 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): -1.42V
- 封装: SOP8
应用简介:
VBsemi的SI4425DY-T1-E3&11-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管，适用于负电压、中等电流的应用场景，广泛应用于各种电子系统和功率模块，提供高效的功率控制和开关性能。
**主要特点:**
1. 适用于负电压环境，额定电压为-30V。
2. 适度额定电流，适用于中等功率应用，额定电流为-11A。
3. 低导通电阻，提供高效率的电源控制性能。
4. SOP8封装，适用于紧凑的电路设计。
**应用领域和模块:**
1. **电源开关模块：** 用于构建高性能负电压电源开关模块，可应用于通信设备、服务器电源等领域。
2. **电机驱动和控制系统：** 适用于中等功率负电压电机驱动模块，如电动工具、小型电动车等领域。
3. **负电压直流-直流转换器：** 在负电压直流转换器中，提供高效率的功率转换，适用于电动车电源、工业电源等场景。
**使用注意事项:**
1. 在设计中请确保正确连接器件，避免反接和过载情况，以防损坏器件。
2. 请按照数据手册提供的最大额定值使用电压和电流，以确保稳定可靠的性能。
3. 注意适当的散热措施，以维持器件在工作过程中的合适温度。
4. 确保器件操作在规定的环境条件下，避免超过温度和电压的极限值。
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